能夠?qū)iO2薄膜、SiN薄膜、Poly薄膜、光刻膠、單晶硅襯底、碳化硅襯底及圖形片內(nèi)點(diǎn)位進(jìn)行精準(zhǔn)量測(cè),并生成膜厚Mapping。
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膜厚儀

工藝能力

技術(shù)指標(biāo):
  • 測(cè)試材料須透光和半透光
  • 量測(cè)方式:自動(dòng)化薄膜厚度光譜反射量測(cè)(無接觸)
  • 紅外光光源量測(cè)厚度范圍:?jiǎn)尉Ч枰r底或碳化硅襯底7um-1mm
  • 紅外光光源量測(cè)厚度誤差:0.4% or 50NM(取大者)
  • 紅外光量測(cè)重復(fù)精度:≤5nm
量測(cè)擬合模式:反射光譜擬合與傅里葉變換的雙模式模擬厚度。
設(shè)備能力:
能夠?qū)iO2薄膜、SiN薄膜、Poly薄膜、光刻膠、單晶硅襯底、碳化硅襯底及圖形片內(nèi)點(diǎn)位進(jìn)行精準(zhǔn)量測(cè),并生成膜厚Mapping。
 

膜厚儀

工藝能力

技術(shù)指標(biāo):
  • 測(cè)試材料須透光和半透光
  • 量測(cè)方式:自動(dòng)化薄膜厚度光譜反射量測(cè)(無接觸)
  • 紅外光光源量測(cè)厚度范圍:?jiǎn)尉Ч枰r底或碳化硅襯底7um-1mm
  • 紅外光光源量測(cè)厚度誤差:0.4% or 50NM(取大者)
  • 紅外光量測(cè)重復(fù)精度:≤5nm
量測(cè)擬合模式:反射光譜擬合與傅里葉變換的雙模式模擬厚度。
設(shè)備能力:
能夠?qū)iO2薄膜、SiN薄膜、Poly薄膜、光刻膠、單晶硅襯底、碳化硅襯底及圖形片內(nèi)點(diǎn)位進(jìn)行精準(zhǔn)量測(cè),并生成膜厚Mapping。
 

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