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干法刻蝕

工藝能力

深硅刻蝕(BOSCH工藝,深寬比可達25:1)

VHF釋放

單晶硅/多晶硅刻蝕

氧化硅/氮化硅刻蝕

光刻膠去除

PI刻蝕

深硅刻蝕機(STPS):BOSCH工藝,可滿足90°±0.1梳齒工藝要求,也可滿足高深寬比腔體工藝,深度比可達25:1。

RIE刻蝕機:可進行多種介質(zhì)刻蝕,Oxide、SiN、Poly等。

VHF:可對MEMS結構進行Release工藝,乙醇與HF氣體作為反應氣體。

深硅刻蝕機刻蝕原理圖

深硅刻蝕機實際操作圖

深硅刻蝕機刻蝕效果

干法刻蝕

工藝能力

深硅刻蝕(BOSCH工藝,深寬比可達25:1)

VHF釋放

單晶硅/多晶硅刻蝕

氧化硅/氮化硅刻蝕

光刻膠去除

PI刻蝕

深硅刻蝕機(STPS):BOSCH工藝,可滿足90°±0.1梳齒工藝要求,也可滿足高深寬比腔體工藝,深度比可達25:1。

RIE刻蝕機:可進行多種介質(zhì)刻蝕,Oxide、SiN、Poly等。

VHF:可對MEMS結構進行Release工藝,乙醇與HF氣體作為反應氣體。

深硅刻蝕機刻蝕原理圖

深硅刻蝕機實際操作圖

深硅刻蝕機刻蝕效果

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