深硅刻蝕(BOSCH工藝,深寬比可達25:1)
VHF釋放
單晶硅/多晶硅刻蝕
氧化硅/氮化硅刻蝕
光刻膠去除
PI刻蝕
深硅刻蝕機(STPS):BOSCH工藝,可滿足90°±0.1梳齒工藝要求,也可滿足高深寬比腔體工藝,深度比可達25:1。
RIE刻蝕機:可進行多種介質(zhì)刻蝕,Oxide、SiN、Poly等。
VHF:可對MEMS結構進行Release工藝,乙醇與HF氣體作為反應氣體。
深硅刻蝕機刻蝕原理圖
深硅刻蝕機實際操作圖
深硅刻蝕機刻蝕效果
深硅刻蝕(BOSCH工藝,深寬比可達25:1)
VHF釋放
單晶硅/多晶硅刻蝕
氧化硅/氮化硅刻蝕
光刻膠去除
PI刻蝕
深硅刻蝕機(STPS):BOSCH工藝,可滿足90°±0.1梳齒工藝要求,也可滿足高深寬比腔體工藝,深度比可達25:1。
RIE刻蝕機:可進行多種介質(zhì)刻蝕,Oxide、SiN、Poly等。
VHF:可對MEMS結構進行Release工藝,乙醇與HF氣體作為反應氣體。
深硅刻蝕機刻蝕原理圖
深硅刻蝕機實際操作圖
深硅刻蝕機刻蝕效果